可弯曲的存储芯片你听说了吗？

新加坡国立大学(NUS)研究团队通过在柔性塑料表面上嵌入磁性存储芯片而开发出一种柔性磁存储芯片，该芯片磁道磁电阻能达到300%，为柔性电子产品的发展做出了巨大贡献。

新加坡国立大学的研究人员开发出一种透明“智能”塑料，它具有足够的柔韧性，可以弯曲成管状。与此同时，它具备优异的数据存储和处理能力。这项发明为柔性电子产品的开发打开了一个突破口，意味着可穿戴电子产品在不久的将来将成为现实。

柔性磁存储设备作为可穿戴电子设备实现数据存储和处理的基本组件，近年来已经引起了广泛的关注。尽管科学家们已经在不同类型存储芯片和材料上进行了大量的研究，但要在柔性基座上制备高性能存储芯片而无损其性能仍面临巨大的挑战。

应对当前的技术挑战，新加坡国立大学Yang Hyunsoo副教授领导的研究小组开发了一种植入芯片的新技术。他们首先将氧化镁基磁性隧道结(MTJ)种植在硅表面，然后再刻蚀掉底层的硅，随后使用转印方法，在一个由聚对苯二甲酸乙二醇酯制成的柔性塑料表面植入了一个磁性存储芯片。

芯片在磁阻式随机存取存储器(MRAM)上的操作表明，MRAM的性能在许多方面都优于传统随机存取存储(RAM)器芯片，比如，处理速度更高、功耗更低、断电后可保留数据等。

这种新型存储芯片将作为柔性轻便设备设计和开发的关键部件，在汽车、医疗电子、工业电机控制和机器人、工业电力和能源管理，以及军事和航空电子系统的应用中具有巨大潜力。

Yang Hyunsoo副教授表示：“我们是首个在柔性表面制备磁性存储器的团队。实验表明，我们的设备磁道磁电阻能达到300%。同时，我们也在设法改进开关的控制功能，从而使柔性磁性芯片实现更快的数据传输。”

Yang Hyunsoo副教授和他的团队最近在美国和韩国申请了这项技术的专利。目前他们正进一步通过微调磁结构的应变来提高装置的磁电阻，并计划将其应用在其他各种电子器件中，相关研究结果发表在在Advanced Materials杂志上。

参考原文链接：Plastic flexible magnetic memory device